芯片内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。当芯片检测到Drain端电压低于VAC_sync_OFF以后，内部功率MOSFET随即打开对VDD电容进行充电。由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路：该泄放电路在VDD电压低于VDD_OVP_hys后打开内部Drain-VDD的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到VDD_OVP以后关闭该泄放通道。通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。此外，当各种保护（UVP,OLPorOTP）发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。反馈输入管脚，该引脚悬空时默认 12V 输出。广东低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持

设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。江西交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片原厂该系列产品支持离线式非隔 离降压和升降压型拓扑电路，适用于小家电电源和 线性电源替代等场所。

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芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应。

集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。AC交流输入，输出12V/500mA电流的低成本BUCK降压芯片。安徽AC高压220V降30V非隔离BUCK电源芯片原厂

集成有快速动态影响功能，可降低负载 切换时的输出电压跌落。广东低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持

芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35064集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8广东低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持

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